成都华诚微电子有限公司
Fidelics Microelectronic (Chengdu) Co.,Ltd.
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薄膜MIS电容（Thin Film MIS Chip Capacitor）
描述：薄膜MIS（Metal-Insulator-Semiconductor，金属-介质-半导体）电容使用高密度、高质量氧化硅和/或氮化硅薄膜（100-400nm）成长在高导电性的硅片上并经由薄膜工艺制造完成，具有小尺寸、高Q值、低插入损耗、良好温度稳定性等特性，适合用于微波集成电路（MIC）直至40GHz，性能优越。
正面电极金属为3微米的99.99%的纯金，具有优异的金线键合性能，背面电极亦为纯金，可采用金-锡焊料和金锗焊料焊接，也可使用导电胶胶固，并带有空边的金属化结构，在贴装和搭线时防止短路。
我们提供单极和多极电容两种。单极电容主要用于隔直、射频（RF）旁路、源旁路、滤波、和阻抗匹配等；多极电容主要用于匹配网路、并联谐振回路、和介质谐振器的调谐或耦合等。
特点：性能优越，具小尺寸、高Q值、低插入损耗、良好温度稳定性等特性；带有空边的金属化结构，在贴装和搭线时防止短路；良好可焊和键合性；低温度系数为50ppm/oC；工作温度范围：-55 oC 至+200 oC。
产品编号：
薄膜MIS电容简图：
产品系列：
|
产品编号 |
CW&CL
电容尺寸
（mm） |
PW&PL
电极尺寸
（mm） |
T
厚度
（mm） |
电容值
（pF） |
额定电压
VR（V） |
|
FCS-3232-05-200 |
0.81(0.032”) |
0.71(0.028”) |
0.12（0.005”） |
200 |
25 |
|
FCS-3232-05-150 |
0.81(0.032”) |
0.71(0.028”) |
0.12（0.005”） |
150 |
25 |
|
FCS-3232-05-100 |
0.81(0.032”) |
0.71(0.028”) |
0.12（0.005”） |
100 |
50 |
|
FCS-1818-05-050 |
0.46(0.018”) |
0.35(0.014”) |
0.12（0.005”） |
50 |
25 |
|
FCS-1818-05-025 |
0.46(0.018”) |
0.35(0.014”) |
0.12（0.005”） |
25 |
50 |
|
FCS-1010-05-010 |
0.25(0.010”) |
0.16(0.006”) |
0.12（0.005”） |
10 |
25 |
|
FCS-1010-05-005 |
0.25(0.010”) |
0.16(0.006”) |
0.12（0.005”） |
5 |
50 |
|
FCS-1010-05-004 |
0.25(0.010”) |
0.10(0.004”) |
0.12（0.005”） |
4 |
25 |
|
FCS-1010-05-003 |
0.25(0.010”) |
0.10(0.004”) |
0.12（0.005”） |
3 |
25 |
|
FCS-1010-05-002 |
0.25(0.010”) |
0.10(0.004”) |
0.12（0.005”） |
2 |
50 |
|
FCS-1010-05-001 |
0.25(0.010”) |
0.10(0.004”) |
0.12（0.005”） |
1 |
125 |
|
FCS-1818-05-1/2/4/8 |
0.46(0.018”) |
多种 |
0.12（0.005”） |
1、2、4、8 |
50 |
|
FCS-1818-05-0.5/1/2/4 |
0.46(0.018”) |
多种 |
0.12（0.005”） |
0.5、1、2、4 |
125 |
注：*：介质耐压测试电压(DWV)为额定电压的2.5倍。
“B”：空边在0.050mm (0.002’’) 以上。
低插入损耗：小于0.1dB (10GHz)。
长度（L）和宽度（W）公差：±0.050mm（0.002”）；
厚度 (T) 公差：±0.025mm（0.001”）；
电容值精度：通用±10% ; ±5% 也可提供。
介质材料特性（Ta=25℃）：
|
相对介电常数
@1MHz |
温度系数
（ppm/℃） |
耗散因子
@1MHz（最大%） |
绝缘阻抗
（GΩ） |
|
3.9 |
50 |
0.1 |
＞1000 |
|
